接下來是讓隧道掃描電子顯微鏡(SEM)來發(fā)揮了:
側(cè)面照，那些金屬小點直接連接至下面的電路部分
加大分辨率，點與點之間填充的應(yīng)該是某種高分子化合物
似乎可以看見硅芯片表面的的一些細節(jié)了
繼續(xù)加大分辨率，可以看出元件分層狀況
10微米分辨率下已經(jīng)清晰可見
200納米分辨率，銅礦核心后期的工藝為0.18微米
再來一張整體預(yù)覽
要看到下面的晶體管必須去除上面這些層
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