透射EBSD（TKD）和傳統(tǒng)EBSD在分析織構(gòu)上有什么差別？
2016-12-26技術(shù)資料
請問利用透射EBSD得到的掃描區(qū)域的取向信息和傳統(tǒng)EBSD得到的取向信息有無差別？織構(gòu)的分析，或者說在后續(xù)軟件處理織構(gòu)時，需不需要修正透射EBSD的角度？或者通過虛擬載物臺進(jìn)行修正？ 我發(fā)現(xiàn)兩種方法做出來的織構(gòu)有很大差別，不知道是什么原因。
猜測坐標(biāo)架沒統(tǒng)一，
取向是兩種坐標(biāo)架的關(guān)系而確定的；
談不上載物臺修正，而是統(tǒng)一參考坐標(biāo)架
那么怎么同一傳統(tǒng)坐標(biāo)架呢？是在manager data處理軟件中的虛擬載物臺里調(diào)整嗎？
按你的描述應(yīng)該可以在project manager的chamber中調(diào)整
孟老師，我調(diào)整了一下，發(fā)現(xiàn)沒有變化啊。 我的材料是純鎳，ECAP+CR的，然后掃描的是TD面。我用T-EBSD得到的主要是立方取向為主，傳統(tǒng)EBSD得到的是軋制織構(gòu)。應(yīng)該不會是選區(qū)范圍不具代表性出現(xiàn)的這種偏差吧。
哦？不是同區(qū)域分析？那就不好說了。EBSD下謹(jǐn)慎討論織構(gòu)，其統(tǒng)計性沒有保證。
先確定兩個樣品的觀測方向是一樣的？
先確定兩個樣品的觀測方向是一樣的？
恩 透射EBSD樣品與傳統(tǒng)EBSD樣品均是取自軋板的（RD-ND）面，即法線方向為TD的那個面，這樣可以很好地表征片層結(jié)構(gòu)。 因為組織非常細(xì)，大變形引入的畸變很大，傳統(tǒng)EBSD的標(biāo)定率很低，透射的效果比較好，但是兩者得到的取向信息差的也太多了。傳統(tǒng)EBSD我選取的范圍還是蠻大的，應(yīng)該是具有統(tǒng)計性的，只是標(biāo)定率（<40%），對于織構(gòu)分析應(yīng)該也夠了。但是形貌和晶界特征分析就不可以了。對于透射EBSD的組織很漂亮（標(biāo)定率>70%），我做的兩個區(qū)域的掃描，微觀織構(gòu)和傳統(tǒng)EBSD相差很大（IPF image 一片飄紅——立方）。我仔細(xì)看了下傳統(tǒng)ebsd的區(qū)域，有部分的確可能是立方取向的晶粒多點，那不會這么巧，我透射選的正好是立方取向晶粒多的區(qū)域吧。。。。 還有沒有一種可能，因為透射樣品是foil的。很薄，雙噴做的樣，組織畸變非常大，加之表面積又非常大，能量很高，導(dǎo)致在室溫下放置過程中發(fā)生了“再結(jié)晶”（應(yīng)力驅(qū)動的板條轉(zhuǎn)動）。而這種再結(jié)晶（或者叫restoration）又不同于傳統(tǒng)的再結(jié)晶，因為從形貌上看，沒有形核和長大的現(xiàn)象，依然是板條組織。不知道孟老師怎么看這個問題，會不會是真的有新的機制的開動，而不是技術(shù)上的問題呢？
首先，因為統(tǒng)計性弱，所以微區(qū)差異大的可能性還是存在的；
其次，我還沒有使用過t-EBSD，不知道其坐標(biāo)幾何關(guān)系與傳統(tǒng)EBSD是否一致，請考證一下；
再者，室溫下放置發(fā)生回復(fù)再結(jié)晶也是有可能的，但是從動力學(xué)上看恐怕難以出現(xiàn)；而如你所述樣品是薄膜金屬且是變形態(tài)的，在高能電子束照射下加速回復(fù)再結(jié)晶也是很可能的；
至于是否存在新型再結(jié)晶模式，我認(rèn)為可能性不大，再結(jié)晶的研究至今主要還是表現(xiàn)上的差別，本質(zhì)上不會有新的機制出現(xiàn)。如你所述，立方的組織保持板條形貌，可能是強回復(fù)的表現(xiàn)，若是高層錯能金屬，這種可能性很大。不知道你設(shè)置的掃描步幅多大？看看此區(qū)域的亞晶界分布多少？同時再次考證掃描區(qū)域面積有多大？
其次，我還沒有使用過t-EBSD，不知道其坐標(biāo)幾何關(guān)系與傳統(tǒng)EBSD是否一致，請考證一下；
再者，室溫下放置發(fā)生回復(fù)再結(jié)晶也是有可能的，但是從動力學(xué)上看恐怕難以出現(xiàn)；而如你所述樣品是薄膜金屬且是變形態(tài)的，在高能電子束照射下加速回復(fù)再結(jié)晶也是很可能的；
至于是否存在新型再結(jié)晶模式，我認(rèn)為可能性不大，再結(jié)晶的研究至今主要還是表現(xiàn)上的差別，本質(zhì)上不會有新的機制出現(xiàn)。如你所述，立方的組織保持板條形貌，可能是強回復(fù)的表現(xiàn)，若是高層錯能金屬，這種可能性很大。不知道你設(shè)置的掃描步幅多大？看看此區(qū)域的亞晶界分布多少？同時再次考證掃描區(qū)域面積有多大？
鎳層錯r能大約125，一般認(rèn)為是高層錯能金屬，但是歸一化的層錯能（r/Gb）與銅相近，而且退火容易形成孿晶，這點與典型的高層錯能Al截然不同。 不知道孟老師說的強回復(fù)是怎樣的過程，是否是晶內(nèi)大量位錯交滑移回復(fù)，在界面處的位錯攀移回復(fù)掉了呢？ 這種情況會帶來取向的轉(zhuǎn)變嗎？ 我記得一般認(rèn)為回復(fù)過程不影響組織的取向變化的吧。是否由于大變形的樣品中有很高密度的缺陷，回復(fù)的作用表現(xiàn)的異常明顯，造成位錯重組重排的絕對量非常大，而造成了晶粒之間的轉(zhuǎn)動使得取向發(fā)生變化呢？
t-EBSD的步長非常小，我用的5nm和10nm的做的。掃描區(qū)域面積10μm X 6 μm ， 加速電壓30kV。 組織非常典型的lamellar structure。板條內(nèi)幾乎沒有亞晶界，大角度晶界分?jǐn)?shù)>70%。
t-EBSD的步長非常小，我用的5nm和10nm的做的。掃描區(qū)域面積10μm X 6 μm ， 加速電壓30kV。 組織非常典型的lamellar structure。板條內(nèi)幾乎沒有亞晶界，大角度晶界分?jǐn)?shù)>70%。